| 測定方式 |
レーザ三角測距方式 |
| 被測定物 |
原則として鏡面又は鏡面に近い物(反射効率の良い乱反射面可) |
| 設定距離 |
10mm(投光面:20mm) |
| 測定範囲 |
±220μm |
| 感度 |
10mV/μm |
| 確度 |
±1.6μm(23±5℃、80%R.H) |
| 分解能 |
0.1μm FILTER2(5kHz LPF)にて
0.3μm FILTER1(約20kHz)にて |
| 周波数帯域幅 |
DC~約20kHz(-3dB) |
| 表示 |
デジタル表示:41/2桁デジタルボルトメータ、単位μm、表示回数 2.5回/秒
モニタ表示:LED(LASER、DARK、NORM、OVER) |
| センサ部光軸 |
投光素子/投光角度:LD(半導体レーザ)/45度
受光素子/受光角度:PSD(位置検出センサ)/45度
有効反射:乱反射及び正反射 |
| 使用LD |
波 長:670nm
出 力:3mW MAX.可変可能、対受光量APC付き
スポット:約φ0.1mm(設定中心にて) |
| 出力 |
出力範囲:0~±2.5V(10mV/μm)
ゼロ点可変範囲:±5V
| 出力フィルタ: |
AC結合 1kHz(HPF)
DC結合1 約20kHz
DC結合2 5kHz(LPF)
DC結合3 10Hz(LPF) |
出力抵抗:約50Ω |
| 電源 |
AC100V±10%、50/60Hz、約11W |
| 環境条件 |
0~40℃、85%R.H以下 |
| 大きさ・質量 |
センサ部:約90W×86H×30L(mm) 約220g
本体部:約80W×170H×304L(mm) 約2.3kg
ケーブル:センサケーブル約3m、電源ケーブル約3m |
| センサ部外観 |
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